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聯合ニュースによると、
サムスン電子は22日、世界で初めて回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)のDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)を今月から量産すると発表した。
同社は製品を量産する京畿道の器興・華城工場で同日、記念式典を行う。記念式典には李健熙(イ・ゴンヒ)会長も出席する予定だ。
同社は昨年5月から華城工場に次世代メモリー製品の生産に向け、「第16ライン」の建設を進め、最近完成した。同ラインではパソコン向けの半導体と、スマートフォン(多機能携帯電話)などモバイル機器向けのNAND型フラッシュメモリーを生産できる。
出所:聯合ニュース(2011.09.22)