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聨合ニュースによると、
半導体関連情報サイトのDRAMエクスチェンジは4日、データの一時保存に使われる半導体メモリー、DRAMの昨年1年間の総売上高は前年比39.0%増の計996億5500万ドル(約11兆1600億円)で、過去最高を記録したと明らかにした。
企業別ではサムスン電子が売上高437億4700万ドルでシェア43.9%と圧倒的首位を維持し、SKハイニックスが売上高294億900万ドル(シェア29.5%)で後に続いた。
両社のDRAM市場でのシェアは合計73.4%に達し、世界のDRAMの売り上げの約4分の3を韓国企業が占めると集計された。
特にSKハイニックスは昨年10~12月期のシェアが31.2%と四半期ベースで30%を突破し、3位の米マイクロン・テクノロジー(23.5%)との差を広げた。
サムスン電子の10~12月期のシェアは41.3%で、前年同期(46.0%)に比べ下落した。
DRAMエクスチェンジは、今年の韓国半導体企業のメモリー市場でのシェアはさらに上昇するとの見通しを示した。
市場全体の売上高は前年比17.5%減の822億4700万ドルと予想。
シェアはサムスン電子が44.9%、SKハイニックスが29.6%で共に上昇すると見通した。
昨年の世界のNAND型フラッシュメモリーの売上高は632億1000万ドルと初めて600億ドルを超え、DRAMと同様に過去最高を更新した。
サムスン電子は売上高221億900万ドルでシェア35.0%を記録し、東芝(19.2%)、米ウエスタンデジタル(14.9%)、マイクロン・テクノロジー(12.9%)、SKハイニックス(10.6%)がトップ5に入った。
サムスン電子とSKハイニックスのシェアの合計は45.6%で、前年(47.2%)に比べ多少下落した。
業界関係者は「昨年は世界の半導体市場の半分以上を韓国ブランドが占めた」とし、「他社に先んじた設備投資と研究開発(R&D)の成果などにより当分大きな技術格差が続くと期待する」と述べた。
また「特に、SKハイニックスは昨年末にNAND型フラッシュメモリー専用の生産ラインを完工したのに続き持続的に投資を拡大しており、DRAMに続いてNAND型フラッシュメモリーも2位圏に上昇する可能性が高い」と見通した。
ynhrm@yna.co.kr
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原文記事
出所:聨合ニュース(2019.03.04)