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米半導体企業などが天安外国投資地域へ3500万ドル追加投資
作成日
2019.04.16

 


忠南天安の外国人投資地域(FIZ)へ米国半導体と水素生産企業から3500万ドル規模の追加投資が行われることが期待される。

天安市によると、ク・ボンヨン市長など投資誘致訪問団が15日から19日までグローバル外国人投資企業への誘致に伴う投資協約(MOU)締結のため米カリフォルニアとニューヨークなどを訪問することを14日に明らかにした。

ク市長は15~16日に、デラウェア州のウィルミントンとペンシルバニア州のフィラデルフィアを訪問し、それぞれ500万ドル、3000万ドル規模の追加投資協約を締結する計画だ。

今回の協約の主要内容は、天安外国投資地域に入る米国の半導体所在生産企業施設(6603平方メートル)の増築と水素生産企業の酸素発生・高級施設(3300平方メートル)の設置だ。

訪問団は現地で水素充電所の視察とニューヨーク州・ナッソー・カウンティ(Nassau County)を訪問し、現地で「3・1運動の日」指定と「柳寛順(ユ・クァンスン)賞」を制定したローラ・カレン(Laura Kuren)ニューヨーク・ナッソー・カウンティ長に感謝を伝える計画だ。

 


原文記事
出所:ニューシース(2019.04.14)

**本内容は上記のウェブ版に掲載されている記事を訳したものです。
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