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聨合ニュースによると、
サムスン電子が今年初めに第3世代10ナノクラス8ギガビットDDR4型DRAMを開発したのに続くもので、グローバル半導体市場の景気回復が予想される来年に備えた布石とみられる。
DDRは標準型DRAMと比較したデータ処理速度の速さによって2型、3型などに分けられ、今回開発されたDRAMはDDR4型に第3世代10ナノクラスの微細化を適用した。
単一チップとして業界最大容量を実現し、ウエハー1枚から生産されるメモリーの総量も最大だとという。
これにより、製品の生産性は第2世代に比べ約27%向上。第2世代8ギガビット製品で構成された同容量のモジュールに比べて電力消費を40%削減できるようになった。
一方、サムスン電子は9月から第3世代10ナノクラスDRAMの量産に入ったことが確認されている。
業界関係者は「サムスン電子とSKハイニックスは来年の半導体景気回復期に備えている」としながら、「シェアが拡大している微細化市場での接戦が予想される」と見通した。
ynhrm@yna.co.kr
<著作権者(c)聨合ニュース。無断転載・再配布禁止。>
出所:聨合ニュース(2019.10.21)
**本内容は上記のウェブ版に掲載されている記事を訳したものです。