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（ソウル=聯合ニュース）キム・ヨンテ記者=蔚山科学技術院（UNIST）によると、蔚山の半導体ガス分野の大手である厚成と共同研究プラットフォームを開設したと20日、明らかにした。

UNISTによると、今回のプラットフォーム開設は「Low GWPエッチング技術」（炭素排出量が少ない半導体素子形成技術）開発に向けた開放型共同研究のために行われた。

UNISTと厚成は共同研究プラットフォームを通じて、Low GWPエッチング用ガスおよびエッチング技術開発、次世代半導体用工程技術および素材開発、産学技術交流会を通じた次世代源泉研究課題の発掘、重要人材養成協力などに集中する計画だ。

UNISTのイ・ヨンフン総長は、「今回のプラットフォーム構築を通じて産学研と人材養成を同時に取り組むことができる」とし、「我が国の半導体発展に大きく寄与することを期待している」と述べた。

yongtae@yna.co.kr

原文記事
出所：聯合ニュース(2022.12.20)

**本内容は上記のウェブ版に掲載されている記事を訳したものです。