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聨合ニュースによると、

（全州聯合ニュース)ペク・トイン記者＝全北大学は21日、半導体科学技術学科のチェ・チョルジョン＆シム・キュファン教授チームが次世代半導体ウェーハを製作するコア技術を開発したことを明らかにした。

同技術は既存のシリコンウェーハの上にゲルマニウム薄膜を作成することで、電子移動度が非常に高まる。

「GOS(Ge-on-Si)エピウェーハ」という名が付けられた同技術はシリコンウェーハとゲルマニウムウェーハの優秀性を全て活かしたもので、次世代半導体技術のコアの１つに挙げられるという。

研究チームは独自で製作した装備で同技術を開発し、関連装備の国産化にも大いに貢献すると期待している。

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